A világon elsőként teljesen új széles tiltottsávú félvezetőről, a 2D–indium-nitridről számoltak be az EK Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézetének kutatói az Advanced Materials folyóiratban
A 2014-es Nobel díjjal kerültek be a köztudatba a fénykibocsátásra alkalmas direkt sávszerkezetű, széles tiltottsávú félvezetők. A kutatók és fejlesztők akkorra már közel két évtizede foglalkoztak olyan, direkt sávszerkezetű, széles tiltottsávú félvezetőkkel, mint amilyen a GaN, az AlN vagy az InN. Az indium-nitrid mindig is kilógott ezek közül egy kicsit a maga szerény, 0,7 eV-os sávszélességével, de mivel a fenti három anyag könnyen ötvözhető egymással, mégis nagy szerepet játszott a fénykibocsátó diódák (LED) és lézerek …